powered by CADENAS

Social Share

Układ Darlingtona (9265 views - Electronics & PCB Engineering)

Układ Darlingtona – układ wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych o szczególnie dużym wzmocnieniu, w którym emiter tranzystora w stopniu wstępnym połączony jest galwanicznie z bazą drugiego stopnia wzmacniającego, a kolektory obu tranzystorów są połączone ze sobą. Prąd emitera pierwszego tranzystora równy jest więc prądowi bazy drugiego, a prądy kolektorów obu tranzystorów sumują się. Współczynnik wzmocnienia β D a r l i n g t o n {\displaystyle \beta _{\mathrm {Darlington} }} układu jest w przybliżeniu iloczynem współczynników wzmocnienia obu tranzystorów wchodzących w skład układu: β D a r l i n g t o n ≈ β 1 × β 2 {\displaystyle \beta _{\mathrm {Darlington} }\approx \beta _{1}\times \beta _{2}} Wadą takiego układu jest podwyższone napięcie polaryzacji bazy pierwszego tranzystora względem emitera drugiego, które jest sumą napięć polaryzacji obu tranzystorów składowych: V B E = V B E 1 + V B E 2 {\displaystyle V_{\mathrm {BE} }=V_{\mathrm {BE1} }+V_{\mathrm {BE2} }\,} Problemem jest również wolniejsze przełączanie się. Pierwszy tranzystor nie może aktywnie hamować prądu bazy drugiego, więc układ wolniej wyłącza się. By to zniwelować, rezystancja bazy drugiego tranzystora jest często rzędu kilkuset omów. Układ ma też większe przesunięcie fazy przy wysokich częstotliwościach w porównaniu z pojedynczym tranzystorem, co obniża jego stabilność. Układy Darlingtona bywają często budowane na wspólnej dla obu tranzystorów strukturze monokrystalicznej półprzewodnika i zamykane we wspólnej obudowie tak, że dla użytkownika dostępne są tylko wyprowadzenia bazy pierwszego tranzystora, wspólne wyprowadzenie kolektorów oraz wyprowadzenie emitera drugiego tranzystora. Taki układ może być traktowany jak pojedynczy tranzystor o podwyższonym wzmocnieniu i nazywany bywa "tranzystorem Darlingtona". Często są one budowane w ten sposób, że pierwszy tranzystor o stosunkowo małej mocy i małym prądzie steruje tranzystorem dużej mocy. Typowy przykład to tranzystor typu 2N6282, który przy wzmocnieniu β D a r l i n g t o n {\displaystyle \beta _{\mathrm {Darlington} }} = 2400 pracuje przy prądzie kolektora (właściwie: sumie prądów obu kolektorów, przy czym prąd kolektora pierwszego tranzystora jest pomijalnie mały) rzędu 10 A. Układ został opracowany w 1953 roku przez Sidneya Darlingtona, pracującego w Bell Laboratories w USA. Opatentował on ideę umieszczenia dwóch albo trzech tranzystorów w pojedynczym chipie, ale nie dowolnej ich liczby (co mogłoby objąć wszystkie współczesne układy scalone). Zobacz też układ Sziklaiego wspólna baza, wspólny kolektor, wspólny emiter kaskoda
Go to Article

Układ Darlingtona

Układ Darlingtona

Układ Darlingtona

Licensed under Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 (Rolf Süssbrich Rsuessrb).

Układ Darlingtona – układ wzmacniacza na tranzystorach bipolarnych o szczególnie dużym wzmocnieniu, w którym emiter tranzystora w stopniu wstępnym połączony jest galwanicznie z bazą drugiego stopnia wzmacniającego, a kolektory obu tranzystorów są połączone ze sobą. Prąd emitera pierwszego tranzystora równy jest więc prądowi bazy drugiego, a prądy kolektorów obu tranzystorów sumują się.

Współczynnik wzmocnienia układu jest w przybliżeniu iloczynem współczynników wzmocnienia obu tranzystorów wchodzących w skład układu:

Wadą takiego układu jest podwyższone napięcie polaryzacji bazy pierwszego tranzystora względem emitera drugiego, które jest sumą napięć polaryzacji obu tranzystorów składowych:

Problemem jest również wolniejsze przełączanie się. Pierwszy tranzystor nie może aktywnie hamować prądu bazy drugiego, więc układ wolniej wyłącza się. By to zniwelować, rezystancja bazy drugiego tranzystora jest często rzędu kilkuset omów. Układ ma też większe przesunięcie fazy przy wysokich częstotliwościach w porównaniu z pojedynczym tranzystorem, co obniża jego stabilność.

Układy Darlingtona bywają często budowane na wspólnej dla obu tranzystorów strukturze monokrystalicznej półprzewodnika i zamykane we wspólnej obudowie tak, że dla użytkownika dostępne są tylko wyprowadzenia bazy pierwszego tranzystora, wspólne wyprowadzenie kolektorów oraz wyprowadzenie emitera drugiego tranzystora. Taki układ może być traktowany jak pojedynczy tranzystor o podwyższonym wzmocnieniu i nazywany bywa "tranzystorem Darlingtona". Często są one budowane w ten sposób, że pierwszy tranzystor o stosunkowo małej mocy i małym prądzie steruje tranzystorem dużej mocy. Typowy przykład to tranzystor typu 2N6282, który przy wzmocnieniu  = 2400 pracuje przy prądzie kolektora (właściwie: sumie prądów obu kolektorów, przy czym prąd kolektora pierwszego tranzystora jest pomijalnie mały) rzędu 10 A.

Układ został opracowany w 1953 roku przez Sidneya Darlingtona, pracującego w Bell Laboratories w USA. Opatentował on ideę umieszczenia dwóch albo trzech tranzystorów w pojedynczym chipie, ale nie dowolnej ich liczby (co mogłoby objąć wszystkie współczesne układy scalone).

Zobacz też


This article uses material from the Wikipedia article "Układ Darlingtona", which is released under the Creative Commons Attribution-Share-Alike License 3.0. There is a list of all authors in Wikipedia

Electronics & PCB Engineering

Cadence, Mentor Graphics, Eagle CAD, Altium Designer, AUTODESK EAGLE, Cadence Allegro, DesignSpark PCB , Mentor PADS, Mentor Xpedition, Novarm DipTrace, Pulsonix, TARGET 3001!, Xpedition xDX Designer, Zuken CADSTAR, Altium P-CAD, Agnisys, Altera Quartus, OrCAD, kiCAD, Solido Design Automation, ELectronics, PCB, Curcuit Board, 3D drawings, 3D library, 3D content, PCB Design, 2D symbols, 2D drawings, 2D icons, 2D schematics